我司陈国祥副教授与美国佛罗里达大学Hai-Ping Cheng教授课题组合作，在二维半导体异质结领域取得重要进展，相关研究成果发表在2017年1月3日的国际知名物理学刊物《Physical Review B》上，题名为: “Two-dimensional lateral GaN/SiC heterostructures: First-principles studies of electronic and magnetic properties”。URL: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.95.045302，DOI: 10.1103/PhysRevB.95.045302。

陈国祥副教授与合作者对二维异质结GaN/SiC的电子、磁学特性以及对电场的响应进行了系统的研究。他们提出了以第三代半导体材料GaN和SiC结合构建新型二维异质结构，在这些结构中发现了准一维的传导性质以及有限非零磁矩，且磁学特性能被外部电场调谐，其性能远优于二维单体GaN和SiC半导体材料。该成果不仅为构筑基于二维材料的新型异质结材料提供了新思路，而且对于在电子学和自旋电子学的应用具有十分重要的意义。

上述研究结果得到国家自然科学基金、陕西省青年科技新星项目及太阳贵宾厅登录网站入口青年科研创新团队的支持。

《Physical Review B》简介：

《Physical Review B》是APS旗下重要期刊之一，是凝聚态物理学领域的国际顶级杂志。美国物理学会The American Physical Society (APS)成立于1899 年，是世界上最具声望的物理学专业学会之一。APS 出版的物理评论系列期刊：Physical Review、 Physical Review Letters、Reviews of Modern Physics，分别是各专业领域最受尊重、被引用次数最多的科技期刊之一，在全球物理学界及相关学科领域的研究者中具有极高的声望。