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郝敏如

发布时间: 2024-09-02 15:28:42   作者:  

研究生导师个人简介

一、基本信息

郝敏如,女,汉族,19871月生,陕西西安人,副教授、工学博士、硕士生导师。

从事学科:物理电子学相关教学与科研

电子邮箱:haominru@163.com

联系电话:19537285343

二、个人经历

教育经历

起止时间

学习单位

专业

层次

201409-201806

西安电子科技大学

微电子学与固体电子学

博士

201109-201403

西安电子科技大学

材料物理与化学

硕士

200709-201007

西安文suncitygroup太阳集团

物理学

学士

工作经历

起止时间

工作单位

所属部门

职称/职务

202312-至今

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副教授

201807-202311

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讲师

三、研究方向和招生专业

研究方向

主要从事高速纳米电子器件及集成电路可靠性、电子元器件功能材料、以及铁电材料存储器等研究。

招生专业

硕士招生专业:光学工程(学硕)、光电信息工程(专硕)。

四、指导研究生

目前指导在校硕士生3名。

五、主讲课程

信息光学、大学物理实验(本科课程)。

六、社会兼职

IETE JOURNAL OF RESEARCH期刊审稿人。

七、科研成果

科研项目(限10项)

国家自然科学基金青年基金,12105220,基于总剂量辐照纳米应变硅PMOS器件退化与失效机理研究,2022/01-2024/12,在研,主持;

陕西省教育厅自然科学专项,21JK0849,应变硅纳米NMOS器件单粒子效应及加固技术研究,2021/01-2022/12,结题,主持。

代表性论文(限10项)

1. Minru Hao, Danting Chen, Yuchen Wang, e al. Novel Layout Technique for Single-Event Transient Mitigation Via Groove Structure [J]. Radiation Effects And Defects In Solids, 2024 (SCI检索)

2. Minru Hao, Min Shao, Yan Zhang, e al. Study on Amplitude of the Noise Power Spectrum for Nano Strained Si NMOSFET [J]. Radiation Effects And Defects In Solids, 2022, 177(3-4): 258-266. (SCI检索)

3. Minru Hao, Yan Zhang, Min Shao, et al. Effects of total dose radiation on Single event effect of the uniaxial strained Si Nano NMOSFET [J]. IETE Journal of Research. 2021, DOI: 10.1080/03772063.2020.1871420 (SCI检索)

4. Minru Hao, Chenguang Liao, Qian Zhang, et al. Study on the charge collection mechanism of Single event transient effect for N-channel metal oxide field effect transistor [J]. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2020, 15(5): 637-644. (SCI检索)

5. Minru Hao, Haiwei Fu, Yan Zhang, et al. Influence of Gamma-ray Radiation on Two-dimensional Sub-threshold Current of Strained Si Nano NMOSFET [J]. Radiation Effects And Defects In Solids2019, 174(9-10): 928-937. (SCI检索)

6. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Influence of γ-ray total dose radiation effect on the hot carrier gate current of the uniaxial strained Si nano-scale NMOSFET [J]. Microelectronics Reliability, 2017(75):69-76. (SCI检索)

7. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Study on the influence of γ-ray total dose radiation effect on the electrical properties of the uniaxial strained Si nanometer NMOSFET [J]. Solid-State Electronics, 2017(133):45-52. (SCI检索)

8. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Total ionizing dose radiation effect on the threshold voltage for the uniaxial strained Si nano NMOSFET [J]. IEICE Electronics Express, 2017,14(11):1-10. (SCI检索)

9. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Effects of Gamma-ray radiation on channel current of the uniaxial strained Si Nano-Scale NMOSFET [J]. IEICE Electronics Express, 2017, 14(19):1-6. (SCI检索)

学术专著

郝敏如(独著)《应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术》,中国石化出版社, 2020

授权专利(限10项)

1.郝敏如,张艳,邵敏,一种应变硅MOS电子器件及其制备方法,中国,ZL202110449010.32023年授权);

2.郝敏如,曹忠尉,邵敏,一种智能垃圾分拣机器人,中国, ZL202111176955.92023年授权)。

八、科研/教学获奖

1. 全国光电信息类授课比赛二等奖,2020/08

2. 太阳贵宾厅登录网站入口青年教师教学竞赛三等奖,2022/09

3. 指导员工参加第九届全国老员工光电设计大赛获国家级三等奖1项,2021/08

 


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